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Si8417DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
20
15
10
5
V GS = 5 V thru 1.8 V
V GS = 1.5 V
10.0
7.5
5.0
2.5
T C = 125 °C
T C = 25 °C
V GS = 1 V
T C = - 55 °C
0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.06
0.05
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
3000
2000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.04
0.03
V GS = 1.8 V
0.02
0.01
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1000
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
3
6
9
12
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
I D = 1 A
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 1 A
4
3
V DS = 6 V
1.4
1.2
V GS = 4.5 V, 2.5 V
V GS = 1.8 V
2
1
0
V DS = 9.6 V
1.0
0.8
0.6
0
5
10 15 20 25 30
35
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73531
S11-1382-Rev. D, 11-Jul-11
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